Мікросхеми стануть ще компактнішими

Спосіб, яким користуються виробники ось вжепівстоліття, полягає убезперервному збільшенні кількостітранзисторівна кристалах кремнієвих пластин. Першим, хто почав використовувати цей прийом, став співзасновник Intel Гордон Мур у 1965 році.

Мур припускав, що кількість транзисторів на кристалімікропроцесора буде подвоюватися раз на два роки. Як з'ясувалося, існує межа,перевищувати якуне рекомендується через фізичніобмеження:кількість напівпровідників з кремнію не можна збільшувати до безкінечності.

У ASML з'явилася ідея, як обійти це обмеження за допомогоютехнології фотолітографії в глибокому ультрафіолеті (EUV). Новаторський методполягає утому, щоб "друкувати" на кремнієвій пластині транзистори, задопомогою світла з довжиною хвилі близько 13 нм. Для порівняння, сучасніDUV-установки пропонують 248 нм, тобто майже у 20 разів більше.

ASML стверджує, що стала першопрохідцем у створенністеппера,який завдяки EUV-випромінюваннюзможе випускати 10-нанометрові чипи.Крім того, компанія повідомляє, що обладнання для масового виробництва такихмікросхем може бути готове до використання вже в 2015 році.

Наразііснуютьобмеження і для винайденого ASML степпера. Відомо, що EUV-лазер прототипувипромінює світло потужністю 55 ват, у той час як комерційному степперу необхідно як мінімум 250 ват.